HEXFET Power MOSFET-urile avansate de la International Rectifier utilizează tehnici de procesare avansate pentru a obține o rezistență extrem de scăzută pe suprafața de siliciu. Acest avantaj, combinat cu viteza mare de comutare și designul robust al dispozitivului pentru care HEXFET power MOSFET-urile sunt bine cunoscute, oferă proiectantului un dispozitiv extrem de eficient și fiabil pentru utilizare într-o gamă largă de aplicații.